怎样配电容大小_怎样配电缆
长鑫存储申请半导体结构的制备方法专利,用于提高电容孔的大小均一性金融界2024年11月15日消息,国家知识产权局信息显示,长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构的制备方法”的专利,公开号CN 118946137 A,申请日期为2023年5月。专利摘要显示,本公开提供一种半导体结构的制备方法,涉及半导体技术领域,用于提高电容孔的大小均一性。该等会说。
(`▽′)
o(?""?o
...控制系统和方法专利,实现不依赖于具体寄生电容大小来控制消影电压电压检测模块用于检测寄生电容的端口电压,根据寄生电容的端口电压控制充电模块对寄生电容进行充电或控制放电模块对寄生电容进行放电以使寄生电容的端口电压等于预设消影电压。本发明实现了不依赖于具体寄生电容大小来控制消影电压,不需要在不同显示屏中分别设置消影时间等会说。
ゃōゃ
...通孔电容结构专利,能够减少重量、减少材料且方便调节电容大小及频率槽及连通第一负耦合槽与第二负耦合槽的中间过孔;第一负耦合槽的内侧壁上设置有第三导电层,中间过孔的周向侧壁上设置有与第三导电层连接的第四导电层,第二负耦合槽的底壁上设置有与第四导电层连接的第五导电层。如此能够减少重量、减少材料且方便调节电容大小及频率。
ˇ0ˇ
京东方A取得一种运动控制设备专利,通过电容值的大小控制工作端的运动以通过第一结构上的金属片和第三结构上的金属片形成多个电容结构;电容检测芯片与电容结构的两个金属片连接,用于检测电容值;在第三结构的预定电容结构接受到力的作用时,第二结构产生弹性形变改变预定电容结构的当前电容值,以根据当前电容值的大小控制工作端的运动。本文源还有呢?
...充放电控制电路控制容量切换开关的通断来调节电容电路的容值的大小用于控制所述储能电路充电和放电;所述储能电路,用于在充电后和放电后驱动所述容量切换开关进入不同的通断状态,其中,所述容量切换开关的不同通断状态对应于所述电容电路的不同容量。该充电电路能够通过充放电控制电路控制容量切换开关的通断来调节电容电路的容值的大小。..
>﹏<
...魏桥申请电容式柔性纺织阵列传感器专利,可准确检测外力作用面及大小金融界2024年9月26日消息,国家知识产权局信息显示,山东魏桥纺织科技研发中心有限公司申请一项名为“一种电容式柔性纺织阵列传感器及其等我继续说。 制备;或者,通过机织方式一体织造成型。本发明当传感器受到外力作用时,可准确的检测出该外力的有效作用面及作用力大小,实现精确感应。
扬杰科技申请降低栅极电容的 SiCMOSFET 及制备方法专利,降低 SiC...一种降低栅极电容的SiC MOSFET 及制备方法,涉半导体技术领域。本发明采用调控栅极和N‑耐压层的重合区域的大小以及栅介质厚度来降低SiC MOSFET 的栅极电容。传统的沟槽型SiC MOSFET,栅极和N‑耐压层的重合区域的宽度等于沟槽的宽度,该重合区域的栅介质厚度等于说完了。
?ω?
...型SiCMOSFET及其制备方法专利,降低SiC MOSFET栅极电容的益处一种高栅氧可靠性和低栅极电容的沟槽型SiC MOSFET及其制备方法,涉半导体技术领域。本发明采用调控栅极和N‑耐压层的重合区域的大小来降低SiC MOSFET的栅极电容。传统的沟槽型SiC MOSFET,栅极和N‑耐压层的重合区域的宽度等于沟槽的宽度,本发明创新性的采用两次沟等会说。
艾为电子取得延时电路专利,减小电路整体的占用面积本申请公开一种延时电路,由于增加设置了一个控制开关,所述控制开关连接在电路中,并按时序间断控制导通和关断其所在电路,从而将延时电路中电容连续的充放电过程转变为离散的充放电过程,从而延长延时电路的延时时间,以便于减小延时电路中电容的大小,进而减小电路整体的占用面说完了。
许继电气申请储能辅助火电机组调频专利,延长锂电池储能系统的使用...本发明通过计算分析ΔP和和的大小关系,确定超级电容储能单元和锂电池储能单元的调整功率,具体为在以及ΔP
原创文章,作者:上海汇犇奔科技有限公司,如若转载,请注明出处:http://fsdfs.cn/mn5ej4v2.html